隨著關于iPhone6+功能缺陷的爭論高漲，蘋果已決定停止使用TLC NAND閃存技術。

   該消息人士表示，這些出現(xiàn)問題的閃存歸結于蘋果在2011年收購的閃存公司Anobit。據稱，蘋果將讓64GB iPhone 6和128GB iPhone 6 Plus改用MLC NAND Flash存儲單元，同時將推出iOS8.1.1來解決出現(xiàn)的循環(huán)重啟的問題。蘋果在之前的iPhone系列產品都使用的是MLC存儲單元。

  據悉，蘋果為節(jié)省成本，在部分iPhone 6 Plus以及iPad產品采用了TLC NAND Flash存儲單元，相比SLC（單階儲存單元）與MLC（多階儲存單元）來說，儲存容量多但讀寫速度慢。

  TLC NAND閃存是固態(tài)NAND快閃存儲器的一種。它的數(shù)據存儲量是SLC存儲器的三倍，是MLC存儲器的1.5倍。最重要的是，TLC閃存更實惠。然而，它讀取和寫入數(shù)據的速度比SLC或MLC要慢一些。

  在作出這一決定的同時，蘋果公司計劃未來在64GB iPhone6和128GB iPhone6+中使用MLC NAND閃存技術。蘋果還表示，它將在一年內為已經裝備了TLC NAND閃存的iPhone手機提供iOS8.1.1更新。

  MLC NAND被16GB的iPhone6、iPhone6 Plus和部分64GB機型采用，但所有128GB機型都采用了TLC NAND。蘋果顯然是在采用TLC NAND以降低成本。此前，一些iPad 中也采用了TLC NAND。

  蘋果于本周早些時候向開發(fā)者推送了iOS 8.1.1 beta更新，盡管蘋果并未表明該款更新是否包括修復iPhone 6和iPhone Plus出現(xiàn)的宕機和循環(huán)重啟的問題。另外，如果你使用的iPhone 6和iPhone 6 Plus出現(xiàn)了多次宕機和循環(huán)重啟的問題，推薦去蘋果店進行更換。

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